Vertikale und laterale Diffusion von Dotierstoffen in sub-mym-Gate-Schichten von CMOS-Transistoren

Vertikale und laterale Diffusion von Dotierstoffen in sub-mym-Gate-Schichten von CMOS-Transistoren Berthold, AdrianVerfasser(DE-588)120930285aut text (DE-588)4113937-9Hochschulschriftgnd-content ger Regensburg, Univ., Diss., 1998 Titansilicide Diffusion CMOS-Schaltung Halbleiterschicht Polykristall Silicium-Gate-Technologie Dotant Dotierung urn:nbn:de:bvb:355-ubr08371-1

Vertikale und laterale Diffusion von Dotierstoffen in sub-mym-Gate-Schichten von CMOS-Transistoren

Berthold, AdrianVerfasser(DE-588)120930285aut

text

(DE-588)4113937-9Hochschulschriftgnd-content

ger

Regensburg, Univ., Diss., 1998

Titansilicide

Diffusion

CMOS-Schaltung

Halbleiterschicht

Polykristall

Silicium-Gate-Technologie

Dotant

Dotierung

urn:nbn:de:bvb:355-ubr08371-1